近来，由南京大学、厦门大学、合肥工业大学、厦门市未来显现研讨院联合天马微电子公司一起研制出世界上首款RGB全氮化物芯片的TFT基Micro-LED全彩显现屏，初次成功完成了新全彩技能计划验证，效果经严厉遴选成功入围2024年度我国第三代半导体技能十大开展。11月19-21日，效果在姑苏举办的第十届世界第三代半导体论坛(IFWS 2024)大会上正式宣告。
Micro-LED显现技能是一种将尺度微缩化的半导体发光二极管以矩阵方式高密度集成的新式显现技能，是LED芯片与平板显现制作的交叉学科应用技能，其在亮度、响应速度、功耗、透明度、稳定性等方面具有十分显着优势，被广泛认为是下一代干流显现技能。但是，因为高质量红光InGaN量子阱外延成长技能瓶颈，氮化镓基的红光Micro-LED芯片功率一向难以打破。
南京大学与合肥工业大学团队一直致力于高In组分红光LED外延成长研讨，先后经过优化成长条件、规划多种应力调控结构，显着提高了高In组分InGaN量子阱资料的质量，经过分子束外延技能成功制备出电注入功率超越90%的地道结红光Micro-LED器材，并深化阐释了该器材在高温环境下功能阑珊的现象及其背面的物理机制。
图1：（a）地道结红光Micro-LED透射电子显微镜图；混合量子阱（b）In和（c）Al元素EDS图；（d）-（e）全氮化物全彩显现屏
南京大学和厦门大学技能团队进一步与天马微电子公司协作，立异提出了提高激光巨量搬运功率和良率的新方法和新技能，联合研制出世界上第一块RGB全氮化物芯片TFT基超视网膜显现Micro-LED全彩屏，像素密度高达403PPI，该作业证明了全氮化物显现技能的可行性，为未来新式显现技能的开展供给新的全彩技能计划。
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